IC芯片表层和子结构组成分析

SEMEDS分析XFlash7^®EDS检测器可用于半导体表层和子结构组成分析

X射线信号生成时电子波束与材料交互通常在样本表面下产生微量并形成所谓的交互体积或感冒体积生成X射线sEM EDS案例交互体积深度取决于SEM加速电压和样本中元素平均原子权值典型高加速电压20kV)生成X光量大数微米,这意味着X光从样本深度释放,而低加速电压(例如3kV)从样本表面小量只产生几百纳米X光

应用示例显示,通过从低到高kV使用不同的加速电压(3、5、10和20kV),SEMEDS分析可用于解决集成电路芯片表层和深度特征(图1a和图1b)。

获取的芯片表层和子结构元素分布图显示,芯片表面有钴、和,而在结构内发现和深度

万博在线客服使用Bruker电压自动分解东斯腾、硅和 Hafium峰重叠ESPRIT软件.视频和下图显示ESPRIT反演算法使得有可能辨识并解决多层加速电压中甚至强重重叠元素